Правила оформления, составления, подачи и рассмотрения заявки на официальную регистрацию топологии интегральной микросхемы (утверждены постановлением Коллегии Кыргызпатента КР)

ПРЕКРАТИЛ ДЕЙСТВИЕ

в соответствии со статьей 36 Закона КР

от 20 июля 2009 года № 241

"О нормативных правовых актах Кыргызской Республики"

Зарегистрировано в Министерстве юстиции Кыргызской Республики

9 апреля 1999 года регистрационный номер 27

Утверждены

постановлением Коллегии

Государственного агентства

интеллектуальной собственности

при Правительстве Кыргызской

Республики (Кыргызпатент)

от 26 марта 1999 года № 3

ПРАВИЛА

оформления, составления, подачи и рассмотрения

заявки на официальную регистрацию топологии

интегральной микросхемы

Настоящие Правила разработаны в соответствии с Законом Кыргызской

Республики "О правовой охране топологий интегральных микросхем" и являются

нормативным правовым актом Государственного агентства интеллектуальной

собственности при Правительстве Кыргызской Республики, регламентирующим порядок

составления, подачи и рассмотрения заявки на регистрацию топологии интегральной микросхемы.

Перечень сокращений

Правила - Правила оформления, составления, подачи и рассмотре-

ния заявки на официальную регистрацию топологий ин-

тегральной микросхемы;

Закон -Закон Кыргызской Республики "О правовой охране топологий интегральных микросхем";

Заявитель - Автор, его наследник, а также любое физическое или

юридическое лицо, которое владеет исключительными

имущественными правами, полученными в силу закона или

договора;

Заявка - Заявка на официальную регистрацию топологии интег-

ральной микросхемы;

ИМС - Интегральная микросхема;

Топология - Топология интегральной микросхемы;

Реестр - Государственный реестр топологий интегральных микрос-

хем Кыргызской Республики.

1. Общие положения

1.1. Определения основных понятий объектов охраны и связанных с

ними терминов приведены в статье 1 Закона.

1.2. В соответствии со статьей 9 Закона автор топологии или иной правообладатель может по своему желанию зарегистрировать топологию в Кыргызпатенте путем подачи заявки.

1.3. В соответствии с частью 3 статьи 9 Закона заявка должна относиться к одной топологии.

1.4. Заявка на регистрацию топологии базового матричного кристалла

может включать материалы, относящиеся как к топологии самого базового

матричного кристалла, так и к топологии заказных интегральных микросхем

реализуемых на его основе.

2. Объекты правовой охраны

2.1. В соответствии с частью 1 статьи 3 Закона правовая охрана распространяется только на оригинальную топологию.

Оригинальной является топология, созданная в результате творческой

деятельности автора (ов) (далее - автора).

Топология признается оригинальной до тех пор, пока не доказано об-

ратное.

Топологии, совокупность элементов которой общеизвестна разработчи-

кам и изготовителям ИМС на дату ее создания, правовая охрана не предос-

тавляется.

Топологии, состоящей из элементов, которые являются общеизвестными

разработчикам и изготовителям ИМС на дату ее создания, предоставляется

правовая охрана только в том случае, если совокупность таких элементов

в целом удовлетворяет требованиям части второй статьи 3 Закона.

2.2. Правовая охрана не распространяется на идеи, способы, систе-

мы, технологию или закодированную информацию, которые могут быть вопло-

щены в топологии (часть 5 статьи 3 Закона).

3. Подача заявки

3.1. Лица, имеющие право на подачу заявки

В соответствии с частью 1 статьи 9 Закона правом на подачу заявки и регистрацию топологии имеют автор или любой правообладатель (далее - заявитель).

Заявка может быть подана заявителем непосредственно либо через

представителя. Полномочия представителя подтверждаются доверенностью,

оформленной в соответствии с законодательством Кыргызской Республики.

3.2. Процедура подачи заявки

Заявка может быть подана в срок, не превышающий двух лет с даты

первого использования топологии, если оно имело место.

Заявка подается в Кыргызпатент непосредственно или направляется по

почте.

3.3. Состав заявки

В соответствии с частью 3 статьи 9 Закона заявка должна содержать:

- заявление на официальную регистрацию топологии ИМС с указанием

правообладателя, а также автора, если он не отказался быть указанным в

качестве такового, их местонахождения (местожительства), даты первого

использования топологии, если оно имело место;

- депонируемые материалы, идентифицирующие топологию, включая ре-

ферат с указанием оригинальности топологии;

- схему пространственно-геометрического расположения элементов то-

пологии ИМС;

- документ, подтверждающий уплату регистрационного сбора в уста-

новленном размере или основания для освобождения от уплаты регистраци-

онного сбора, а также для уменьшения его размера;

документы, прилагаемые к заявке:

- заверенную копию документа, подтверждающего дату первого исполь-

зования топологии в коммерческих целях, если эта топология использова-

лась в коммерческих целях ранее даты ее подачи в Кыргызпатент;

- копию документа, подтверждающего передачу имущественных прав,

если правообладатель не является автором, заверенную надлежащим обра-

зом;

- доверенность на представительство, оформленную в соответствии с

законодательством Кыргызской Республики, если заявка подается через

представителя.

Доверенность представляется при подаче заявки или в течение двух

месяцев с даты подачи заявки.

Срок действия доверенности на представителя не может превышать

трех лет. Если срок в доверенности не указан, она сохраняет силу в те-

чение одного года со дня ее совершения.

3.4. Язык заявки

Документы заявки должны быть представлены на кыргызском или русс-

ком языке. Если документы заявки представлены на ином языке, то к ним

должен быть приложен перевод на кыргызский или русский язык депонируе-

мых материалов, заверенный надлежащим образом.

3.5. Количество экземпляров

Документы заявки представляются в одном экземпляре.

4. Содержание и оформление документов заявки

4.1. Требования к оформлению документов заявки

Документы заявки должны быть оформлены таким образом, чтобы их

можно было непосредственно репродуцировать фотографически, электроста-

тически, офсетно и микрофильмировать.

Документы заявки должны быть выполнены на листах прочной, белой,

гладкой, непрозрачной, неглянцевой бумаги формата А4 (210х297 мм) и на-

чинаться на отдельных листах, если их установленной формой не предус-

мотрено иное. Размеры полей на листах документов заявки должны быть не

менее (мм):

левое - 20;

верхнее - 17;

правое и нижнее - 7.

Поля листов должны быть чистыми.

В каждом документе заявки второй и последующие листы должны быть

пронумерованы арабскими цифрами.

Документы заявки должны быть отпечатаны шрифтом черного цвета.

Текст документов заявки должен быть полным и ясным и не содержать

разночтений.

4.2. Заявление

Заявление на официальную регистрацию топологии интегральной мик-

росхемы представляется по форме КТ к настоящим Правилам.

Фамилии, имена и отчества (при наличии последних) в документах за-

явки на регистрацию указываются в именительном падеже.

Иностранные имена и названия предприятий указываются в кыргызской

или русской транслитерации.

Графы заявления, расположенные над словом "Заявление", предназна-

чены для внесения реквизитов после поступления заявки в Кыргызпатент и

заявителем не заполняются.

В графе "Заявитель(и)" указывается полное имя или наименование за-

явителя, его местожительство или местонахождение. Данные о местожитель-

стве автора - заявителя указываются в графе "Автор".

Графа "Основания возникновения прав на данное произведение" запол-

няется в случае, когда заявитель не является автором. В ней путем прос-

тановки знака "X" в соответствующей клетке указывается правообладатель.

В графе "Название интегральной микросхемы с данной топологией"

указывается сокращенное и полное название топологии.

Графа "Альтернативное название" заполняется в том случае, если су-

ществует дополнительное название для регистрируемой топологии под кото-

рым мог быть ранее записан документ, относящийся к топологии.

В графе "Сведения о ближайшем аналоге данной топологии" приводится

аналог, если таковой имеется. В качестве аналога может быть указана то-

пология, как не использованная, так и использованная ранее в коммерчес-

ких целях. В последнем случае в графе "Дата и место первого использова-

ния топологии в коммерческих целях" указывается полная дата (число, ме-

сяц, год) и страна первого использования этой топологии в коммерческих

целях.

В графе "Данные о правообладателе на дату первого использования

данной топологии в коммерческих целях" приводятся сведения о ее право-

обладателе на дату первого использования.

В графе "Сведения об охраняемых топологиях" приводятся сведения о

топологиях, используемых при создании представленной на регистрацию то-

пологии. В понятие охраняемой топологии входит как зарегистрированная,

так и незарегистрированная топология, используемая в коммерческих целях

не более двух лет. Это могут быть ближайшие аналоги заявляемой тополо-

гии, а также входящие в заявляемую топологию иные топологии, состоящие

из элементов, общеизвестных разработчикам и изготовителям ИМС на дату

ее создания, совокупность которой является оригинальной. Приводятся

сведения о топологиях базового матричного кристалла и о топологиях за-

казных интегральных микросхем, созданных на его основе.

В графе "Автор" указывается фамилия, имя, отчество (если имеется)

автора в именительном падеже, причем фамилия указывается перед именем,

дата рождения, гражданство и адрес местожительства автора, включая офи-

циальное наименование страны, телефон.

В этой же графе приводится краткое описание творческого вклада ав-

тора в создании данного произведения.

Если авторов несколько, то необходимо заполнение формы КТ/ДОП с

указанием объема конкретного вклада каждого автора в создание данной

топологии.

Графы "Документы заявки" и "Документы, прилагаемые к заявке" за-

полняются путем простановки знака "X" в соответствующих клетках.

В "Депонируемых материалах" отмечается вид материала, идентифици-

рующего данную топологию.

В графе "Сведения об адресате" указываются сведения об адресате,

которому следует отправлять корреспонденцию по данной заявке, т.е. ука-

зывается адрес, имя или наименование одного из заявителей, удовлетворя-

ющие обычным требованиям быстрой почтовой доставки, и номера телефона,

телекса, факса (если они имеются).

В последней графе заявления подтверждается, что указанные в заяв-

лении сведения являются достоверными и соответствуют депонируемым иден-

тифицирующим материалам. Графа подписывается заявителем или его предс-

тавителем с указанием даты подписания. Подпись и дата обязательны. Под-

пись должна быть расшифрована указанием фамилии и инициалов подписываю-

щего лица.

При подаче заявки на регистрацию от двух и более заявителей бланк

заявления подписывается каждым из них, а переписка ведется с представи-

телем, уполномоченным на это заявителями, по адресу, указанному в соот-

ветствующей графе заявления.

От имени юридического лица заявление подписывается руководителем

организации с указанием его должности, подпись расшифровывается и

скрепляется печатью.

4.3. Требования к оформлению депонируемых материалов

Материалы, представляемые в Кыргызпатент на депонирование, должны

обеспечивать однозначную идентификацию регистрируемой топологии.

В целях идентификации топологии, не использованной в коммерческих

целях до даты подачи заявки на регистрацию, депонируемые материалы за-

явки должны содержать: полный комплект одного из следующих видов визу-

ально воспринимаемых материалов, отображающих каждый слой топологии, в

одном экземпляре:

- фотошаблоны;

- сборный топологический чертеж;

- послойные топологические чертежи;

- фотографии каждого слоя топологии, зафиксированной в ИМС;

реферат, содержащий следующие сведения, предназначенные для после-

дующей публикации в официальном бюллетене:

- наименование ИМС;

- наименование заявителя;

- область применения, назначение или функции ИМС;

- вид применяемой для изготовления ИМС технологии;

Средний объем текста реферата - до 1500 печатных знаков.

В целях идентификации топологии, использованной в коммерческих це-

лях до даты подачи заявки на регистрацию, депонируемые материалы заявки

должны дополнительно содержать образцы ИМС, включающие данную тополо-

гию, в том виде, в котором она была использована в коммерческих целях,

а в реферате должны содержаться сведения о дате первого использования в

коммерческих целях и об основных характеристиках образца ИМС.

Графические изображения топологических чертежей выполняются на

кальке или гладкой белой бумаге. Формат листов в сложенном виде должен

быть 210х297 мм. Минимальные поля листа графического изображения должны

иметь размеры: сверху и левая сторона - 20 мм, правая - 15 мм, низ - 10

мм.

Изображения на фотографиях должны быть контрастными.

На всех экземплярах чертежей и фотографий должен быть указан масш-

таб изображений.

В визуально воспринимаемых материалах изображения должны быть

представлены в масштабе не менее 20:1.

Образцы ИМС, включаемые в состав заявки, должны допускать возмож-

ность получения с них визуально воспринимаемого изображения каждого

слоя ее топологии.

Если какой-либо слой топологии содержит сведения конфиденциального

характера (например, относящиеся к "ноу-хау"), в визуально воспринимае-

мых материалах соответствующая часть этого слоя (или целиком слой) мо-

жет быть изъята и включена в состав депонируемых материалов, идентифи-

цирующих топологию, в закодированной форме.

5. Рассмотрение заявки

5.1. Прием материалов заявки

Поступившим в Кыргызпатент материалам заявки присваивается входя-

щий номер и фиксируется дата их поступления.

Заявителю либо его представителю выдается справка о принятии мате-

риалов заявки, с указанием входящего номера, даты поступления и переч-

нем принятых документов.

5.2. Рассмотрение материалов заявки

В соответствии с частью 6 статьи 9 Закона рассмотрение заявки про-

изводится в течение шести месяцев.

Поступившие материалы заявки проверяются на наличие документа,

подтверждающего уплату регистрационного сбора за подачу и рассмотрение

заявки в установленном размере. При отсутствии такого документа заяви-

тель уведомляется о необходимости его представления до истечения двух

месяцев с даты поступления заявки при условии уплаты дополнительного

сбора.

В течение двух месяцев после поступления заявки в Кыргызпатент за-

явитель вправе дополнять, уточнять и исправлять материалы заявки.

В ходе рассмотрения заявки устанавливается:

- соответствие суммы уплаченного регистрационного сбора установ-

ленным размерам;

- наличие необходимых документов, определенных пунктом 3.3 настоя-

щих Правил;

- правильность оформления документов заявки в соответствии с тре-

бованиями пункта 4 настоящих Правил;

- соответствие заявленной топологии объектам, которым предоставля-

ется правовая охрана (пункт 2 настоящих Правил).

По заявке, поданной с нарушением установленных требований, Кыргыз-

патент вправе направить заявителю запрос с предложением в течение двух

месяцев с даты получения запроса устранить имеющиеся недостатки. Срок

рассмотрения заявки соответственно продлевается.

Основанием для запроса могут быть:

- несоответствие суммы уплаченного регистрационного сбора установ-

ленным размерам;

- наличие других нарушений.

Срок представления исправленных или отсутствующих документов может

быть восстановлен путем подачи соответствующего ходатайства, при усло-

вии уплаты соответствующего сбора. Ходатайство о восстановлении пропу-

щенного срока подается заявителем не позднее шести месяцев со дня исте-

чения пропущенного срока, с подтверждением уважительных причин, по ко-

торым был пропущен срок.

5.3. Решение об официальной регистрации топологии

Если в результате рассмотрения заявки установлено, что она оформ-

лена на объект, которому предоставляется правовая охрана в соответствии

со статьей 3 Закона и пунктом 2 настоящих Правил, выносится решение об

официальной регистрации топологии, о чем заявитель уведомляется.

Кыргызпатент, при положительном результате проверки вносит соот-

ветствующую запись в Реестр топологий интегральных микросхем Кыргызской

Республики, публикует в установленном порядке сведения о зарегистриро-

ванной топологии в официальном бюллетене Кыргызпатента "Интеллектуаль-

ная собственность", выдает заявителю свидетельство об официальной ре-

гистрации.

5.4. Решение об отказе в официальной регистрации топологии

Если в результате рассмотрения заявки установлено, что она оформ-

лена на объект, которому не предоставляется правовая охрана в соответс-

твии со статьей 3 Закона и пунктом 2 настоящих Правил, и в случае не-

соблюдения заявителем требований абзаца 1 пункта 3.2 настоящих Правил,

т.е. в случае превышения им установленных сроков подачи заявки на ре-

гистрацию с даты первого использования топологии в коммерческих целях

(два года), выносится решение об отказе в официальной регистрации топо-

логии с приведением соответствующих обоснований.

В случае отказа в регистрации заявки уплаченный сбор и материалы

заявки заявителю не возвращаются.

6. Вступление в силу

Настоящие Правила вступают в силу с даты регистрации в Министерс-

тве юстиции Кыргызской Республики.

С даты вступления в силу настоящих Правил утрачивают силу Времен-

ные Правила составления, подачи и рассмотрения заявок на официальную

регистрацию программ для ЭВМ, баз данных и топологий, зарегистрирован-

ные в Министерстве юстиции Кыргызской Республики 29 августа 1995 года,

N 258.

Форма КТ

ГОСУДАРСТВЕННОЕ АГЕНТСТВО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ

ПРИ ПРАВИТЕЛЬСТВЕ КЫРГЫЗСКОЙ РЕСПУБЛИКИ (КЫРГЫЗПАТЕНТ)

Адрес:

Дата поступления _____ число __________ месяц ____ год

Входящий N ______________

N официальной регистрации ______________

ЗАЯВЛЕНИЕ

На официальную регистрацию топологии интегральной

микросхемы (ТИМС)

Представляя указанные ниже документы, прошу произвести регистрацию

топологии

__________________________________________________________________

1. Заявитель (ли)

__________________________________________________________________

(полное имя или наименование и местожительство или местонахожде-

ние. Данные о местожительстве авторов-заявителей приводятся в графе (9)

__________________________________________________________________

2. Основания возникновения прав на данную топологию (если заяви-

тель не является автором)

[ ] заявитель является работодателем автора

[ ] передача прав автором или его правопреемником иному лицу

[ ] передача прав работодателем иному лицу

[ ] право наследования

__________________________________________________________________

З. Название интегральной микросхемы с данной топологией (сокращен-

ное и полное):

__________________________________________________________________

4. Альтернативное название

__________________________________________________________________

5. Сведения о ближайшем аналоге данной топологии

__________________________________________________________________

6. Дата и место первого использования топологии в коммерческих це-

лях

____________число _____________ месяц ___________ год

страна ________________________

__________________________________________________________________

7. Данные о правообладателе на дату первого использования данной

топологии в коммерческих целях (имя, наименование, гражданство, адрес,

телефон)

__________________________________________________________________

8. Сведения об охраняемых топологиях (использованных при создании

данной топологии)

__________________________________________________________________

9. Автор

(для указания данных о других авторах необходимо заполнение формы

КТ/ДОП)

__________________________________________________________________

Фамилия, имя, отчество

Дата рождения _______ число __________ месяц _____________ год ___

_____________________ Гражданство

__________________________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

__________________________________________________________________

Краткое описание авторского вклада в данное произведение

__________________________________________________________________

10. Депонируемые материалы, идентифицирующие данную топологию

[ ] полный комплект одного из следующих видов визуально восприни-

маемых материалов, отображающих каждый слой данной топологии включая

спецификацию, в ___ экз.:

[ ] фотошаблоны __________________ шт.

[ ] сборный топологический чертеж на ___________ л.

[ ] послойные топологические чертежи на _________ л.

[ ] фотография каждого слоя топологии, зафиксированной в интег-

ральной микросхеме ____ шт.

[ ] схема пространственно-геометрического расположения элементов

топологии ИМС, на ___ л.

[ ] образцы интегральной микросхемы, включающие данную топологию в

том виде, в котором она была использована в коммерческих целях, в

________ экз.

[ ] реферат, в _________ экз.

__________________________________________________________________

11. Документы, прилагаемые к заявлению

[ ] документ об уплате регистрационного сбора

[ ] документ об освобождении от уплаты регистрационного сбора или

уменьшении его размера

[ ] копия документа о передаче имущественных прав

[ ] копия документа, подтверждающего дату и место первого исполь-

зования топологии в коммерческих целях

[ ] доверенность представителя правообладателя

[ ] перевод на кыргызский или русский язык

__________________________________________________________________

12. Сведения об адресате (которому следует отправлять корреспон-

денцию по данной заявке) адрес, включая почтовый индекс:

номер телефона, включая международный код (факс, телефакс и др.)

получатель:

Я, _______________________________________________________________

(должность)

__________________________________________________________________

(фамилия, имя, отчество)

настоящим подтверждаю, указанные в заявлении сведения являются

верными и соответствующими депонируемым идентифицирующим материалам.

Подпись ____________________ "____"_____________ 19____ г.

Примечание: (при подписании от имени юридического лица указывается

должность руководителя, а его подпись удостоверяется печатью).

Форма КТ/ДОП

ГОСУДАРСТВЕННОЕ АГЕНТСТВО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ

ПРИ ПРАВИТЕЛЬСТВЕ КЫРГЫЗСКОЙ РЕСПУБЛИКИ (КЫРГЫЗПАТЕНТ)

Адрес:

Дата регистрации

число _____ месяц ____ год ______

Входящий N ______________________

N официальной регистрации ____________________

__________________________________________________________________

Заявитель(полное имя или наименование одного из заявителей, ука-

__________________________________________________________________

занных в "Форме КТ")

__________________________________________________________________

Название произведения (указанное в "Форме КТ")

__________________________________________________________________

Дополнение к графе 9 "Формы КТ"

Автор

__________________________________________________________________

Фамилия, имя, отчество

Дата рождения ________ число ________ месяц _______ год

Гражданство ______________________________________________________

__________________________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

__________________________________________________________________

Краткое описание авторского вклада в данное произведение

__________________________________________________________________

Дополнение к графе 9 "Формы КТ"

Автор

__________________________________________________________________

фамилия, имя, отчество

Дата рождения _______ число ________ месяц _______ год

Гражданство ______________________________________________________

__________________________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

__________________________________________________________________

Краткое описание авторского вклада в данное произведение

__________________________________________________________________

Дополнение к пункту 9 "Формы КТ"

Автор

__________________________________________________________________

Фамилия, имя, отчество

Дата рождения _______ число _________ месяц ______ год

Гражданство ______________________________________________________

__________________________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

__________________________________________________________________

Краткое описание авторского вклада в данное произведение

__________________________________________________________________

Дополнение к графе 9 "Формы КТ"

Автор

__________________________________________________________________

Фамилия, имя, отчество

Дата рождения ________ число __________ месяц ______ год

Гражданство ______________________________________________________

__________________________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

__________________________________________________________________

Краткое описание авторского вклада в данное произведение

__________________________________________________________________

Дополнение к графе 9 "Формы КТ"

Автор

__________________________________________________________________

Фамилия, имя, отчество

Дата рождения _______ число ________ месяц ________ год

Гражданство ______________________________________________________

__________________________________________________________________

Адрес местожительства, телефон

__________________________________________________________________

Краткое описание авторского вклада в данное произведение